ASDM40N52E-R
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DFN-8(3x3.1)
- 品牌名称ASDsemi(安森德)
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商品型号
ASDM40N52E-R -
商品编号
ASDM40N52E-R -
商品封装
DFN-8(3x3.1) -
分类
场效应管(MOSFET)
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商品参数
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属性 | 参数值 |
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商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
类型 | 1个N沟道 | |
漏源电压(Vdss) | 40V | |
连续漏极电流(Id) | 52A | |
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 4.2mΩ@10V,30A | |
功率 | 65W | |
阈值电压(Vgs(th)@Id) | 1.6V@250uA | |
栅极电荷(Qg@Vgs) | 18nC@10V | |
输入电容(Ciss@Vds) | 980pF@20V | |
反向传输电容(Crss@Vds) | 80pF@20V | |
工作温度 | -55℃~+150℃ |
梯度
售价
1+¥1.329
10+¥1.056
30+¥0.939
100+¥0.793
500+¥0.728
1000+¥0.689
库存总量
(单位:352个)-
仓库库存数量
352
购买数量
个
起订量:1 个