TP65H480G4JSG-TR
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PQFN-3(5x6)
- 品牌名称Transphorm
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商品型号
TP65H480G4JSG-TR -
商品编号
TP65H480G4JSG-TR -
商品封装
PQFN-3(5x6) -
分类
氮化镓晶体管(GaN HEMT)
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商品参数
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属性 | 参数值 |
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商品目录 | 氮化镓晶体管(GaN HEMT) | |
沟道类型 | 1个N沟道 | |
Vds-漏源击穿电压 | 650V | |
Id-漏极电流(25℃) | 3.6A | |
Pd-功耗 | 13.2W | |
RDS(on)-导通电阻(8V) | 560mΩ | |
工作温度 | -55℃~+150℃ |
梯度
售价
1+¥14
200+¥5.42
500+¥5.23
1000+¥5.14
库存总量
(单位:0个)-
仓库库存数量
0
购买数量
个
起订量:1 个