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对比
G2R1000MT33J
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TO-263-7
- 品牌名称GeneSiC Semiconductor
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商品型号
G2R1000MT33J -
商品编号
G2R1000MT33J -
商品封装
TO-263-7 -
分类
碳化硅场效应管(MOSFET)
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商品参数
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属性 | 参数值 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 碳化硅场效应管(MOSFET) | |
| 封装类型 | 单管 | |
| 沟道类型 | 1个N沟道 | |
| 配置 | - | |
| V(BR)DSS-漏源击穿电压 | 3300V | |
| Id-漏极电流(25℃) | 5A | |
| Pd-功耗 | 74W | |
| Vgs(th)-栅源阈值电压 | 3.5V | |
| RDS(on)-导通电阻(20V) | 1000mΩ | |
| RDS(on)-导通电阻(18V) | - | |
| RDS(on)-导通电阻(15V) | - | |
| RDS(on)-导通电阻(10V) | - | |
| Qg-栅极电荷 | 18nC | |
| Ciss-输入电容 | 238pF | |
| Crss-反向传输电容 | 2.4pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| Coss-输出电容 | 10pF |
梯度
售价
1+￥245.28
200+￥94.92
500+￥91.59
1000+￥89.94
库存总量
(单位：0个)-
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起订量：1 个