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GD100HFF120C1S
GD100HFF120C1S商品缩略图

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GD100HFF120C1S

  • 品牌名称Starpower(嘉兴斯达)
  • 商品型号

    GD100HFF120C1S
  • 商品编号

    GD100HFF120C1S
  • 商品封装

  • 分类

    IGBT管/模块

  • 商品参数

属性 参数值
商品目录 IGBT管/模块
IGBT类型 -
集射极击穿电压(Vces) 1.2kV
集电极电流(Ic) 149A
功率(Pd) 511W
正向压降(Vf@If) 1.9V@100A
集射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Vge) 1.9V@100A,15V
栅极阈值电压(Vge(th)@Ic) 6V@2.5mA
栅极电荷(Qg@Ic,Vge) -
输入电容(Cies@Vce) -
开启延迟时间(Td(on)) 374ns
关断延迟时间(Td(off)) 326ns
导通损耗(Eon) 6.9mJ
关断损耗(Eoff) 5.2mJ
反向恢复时间(Trr) -
工作温度 -40℃~+150℃@(Tj)

数据手册PDF

梯度
售价
1+¥174.2
30+¥167.7

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(单位:0个)
  • 仓库库存数量

    0

购买数量

起订量:1 个
总价金额: 174.2