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对比
RS9N65D
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TO-252
- 品牌名称REASUNOS(瑞森半导体)
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商品型号
RS9N65D -
商品编号
RS9N65D -
商品封装
TO-252 -
分类
场效应管(MOSFET)
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商品参数
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属性 | 参数值 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 类型 | - | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 9A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 950mΩ@10V,4.5A | |
| 耗散功率(Pd) | 170W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 22nC@10V | |
| 输入电容(Ciss@Vds) | 1.246nF@25V | |
| 反向传输电容(Crss) | - | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) |
梯度
售价
1+￥1.7599
10+￥1.3819
30+￥1.2199
100+￥1.0178
库存总量
(单位：2435个)-
仓库库存数量
2435
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个
起订量：1 个