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首页 >品牌目录 >HUAYI(华羿微)

HUAYI(华羿微)

网址： http://www.hymexa.com/

华羿微电子股份有限公司成立于2017年6月28日，位于西安经济技术开发区草滩生态产业园，占地面积200.775亩。企业注册资本2.6亿元，天水华天电子集团股份有限公司是公司的控股股东，持有公司88.46%的股权。

类目：

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封装：

TDSON-8(5.2x5.9)

PDFN-8(4.9x5.8)

PDFN-8(5.2x5.9)

PDFN-8(3.1x3.1)

PDFN-8(5.9x5.2)

PDFN-8L(3.3x3.3)

PDFN-8(5.1x5.8)

TDFN-8(5.2x5.9)

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型号/品牌/封装参数类别/数据手册价格阶梯(含税) 库存交期数量操作

HYG210P06LQ1D 品牌: HUAYI(华羿微) 封装: TO-252-2 描述: 1个P沟道漏源电压(Vdss):60V 连续漏极电流(Id):40A 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):19mΩ@10V 功率:60W 类目: 场效应管(MOSFET) 编号: 12006896 详细: 数据手册 1+: ￥1.5183 10+: ￥1.2264 30+: ￥1.1013 100+: ￥0.9453 500+: ￥0.841 1000+: ￥0.7993 库存：4257 个个总额:￥0

HY3906W 品牌: HUAYI(华羿微) 封装: TO-247A-3L 描述: - 漏源电压(Vdss):60V 连续漏极电流(Id):190A 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):2.6mΩ@10V,95A 功率:350W 类目: 场效应管(MOSFET) 编号: 12000948 详细: 数据手册 1+: ￥11.04 10+: ￥9.69 30+: ￥8.84 90+: ￥7.97 660+: ￥7.58 990+: ￥7.41 库存：0 个个总额:￥0

HY5204W 品牌: HUAYI(华羿微) 封装: TO-247A-3L 描述: - 漏源电压(Vdss):40V 连续漏极电流(Id):320A 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):1.3mΩ@10V,160A 功率:348W 类目: 场效应管(MOSFET) 编号: 11998258 详细: 数据手册 1+: ￥12.04 10+: ￥10.38 30+: ￥9.35 库存：1 个个总额:￥0

HY3010B 品牌: HUAYI(华羿微) 封装: TO-263-2 描述: 1个N沟道漏源电压(Vdss):100V 连续漏极电流(Id):100A 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):10mΩ@10V,50A 功率:192W 类目: 场效应管(MOSFET) 编号: 11994326 详细: 数据手册 1+: ￥2.37 10+: ￥2.32 30+: ￥2.28 100+: ￥2.25 库存：0 个个总额:￥0

HYG068N08NR1P 品牌: HUAYI(华羿微) 封装: TO-220FB-3 描述: 1个N沟道漏源电压(Vdss):80V 连续漏极电流(Id):160A 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):6mΩ@10V,60A 功率:268W 类目: 场效应管(MOSFET) 编号: 11967683 详细: 数据手册 1+: ￥4.86 10+: ￥4.04 30+: ￥3.62 库存：20 个个总额:￥0

HYG045N03LA1C2 品牌: HUAYI(华羿微) 封装: DFN-8(5.2x5.9) 描述: 1个N沟道漏源电压(Vdss):30V 连续漏极电流(Id):78A 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):4.8mΩ@4.5V,20A 功率:52W 类目: 场效应管(MOSFET) 编号: 11966080 详细: 数据手册 1+: ￥1.011 10+: ￥0.8177 30+: ￥0.7349 100+: ￥0.6315 500+: ￥0.5155 1000+: ￥0.4879 库存：2069 个个总额:￥0

HYG110P04LQ2D 品牌: HUAYI(华羿微) 封装: TO-252-2 描述: - 漏源电压(Vdss):40V 连续漏极电流(Id):50A 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):9.4mΩ@10V,20A 功率:57.7W 类目: 场效应管(MOSFET) 编号: 11966077 详细: 数据手册 1+: ￥1.6126 10+: ￥1.2808 30+: ￥1.1385 100+: ￥0.9611 500+: ￥0.8821 1000+: ￥0.8347 库存：0 个个总额:￥0

HYG050N13NS1B6 品牌: HUAYI(华羿微) 封装: TO-263-6 描述: 1个N沟道漏源电压(Vdss):135V 连续漏极电流(Id):200A 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):3.8mΩ@10V,50A 功率:375W 类目: 场效应管(MOSFET) 编号: 11966074 详细: 数据手册 1+: ￥11.49 10+: ￥9.91 30+: ￥8.92 100+: ￥7.91 库存：432 个个总额:￥0

HYG064N08NA1B 品牌: HUAYI(华羿微) 封装: TO-263-2 描述: 1个N沟道漏源电压(Vdss):80V 连续漏极电流(Id):120A 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):6.4mΩ@10V,40A 功率:208W 类目: 场效应管(MOSFET) 编号: 11966071 详细: 数据手册 1+: ￥4.06 10+: ￥3.37 30+: ￥3.02 100+: ￥2.68 500+: ￥2.48 800+: ￥2.37 库存：67 个个总额:￥0

HYG800P10LR1D 品牌: HUAYI(华羿微) 封装: TO-252-2 描述: - 漏源电压(Vdss):100V 连续漏极电流(Id):20A 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):77mΩ@10V 功率:75W 类目: 场效应管(MOSFET) 编号: 11937959 详细: 数据手册 1+: ￥1.2064 10+: ￥0.9586 30+: ￥0.8524 100+: ￥0.7198 库存：2319 个个总额:￥0

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