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首页 >品牌目录 >MATSUKI(松木)

MATSUKI(松木)

网址： https://www.force-mos.com

MOSFET制程主要使用先进的0.25/0.18/0.13 µm制程技术，全方位应用在低压及中﹑高电压领域。我们拥有类比积体电路﹑MOSFET ﹑肖特基二极体和被动零件等销售项目，在Co-Pak或COB达到最有效的管理和应用。我们拥有MOSFET ﹑类比积体电路最佳设计及制程整合技术团队。

类目：

更多

封装：

DFN-8-EP(6.1x5.2)

PDFN-8(3.1x3.2)

DFN-8-EP(3.3x3.3)

更多

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符合条件商品：共183件

型号/品牌/封装参数类别/数据手册价格阶梯(含税) 库存交期数量操作

ME4413D-G 品牌: MATSUKI(松木) 封装: SOP-8 描述: - 漏源电压(Vdss):12V 连续漏极电流(Id):11.5A 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):26mΩ@1.8V,6A 功率:2.78W 类目: 场效应管(MOSFET) 编号: 11329386 详细: 数据手册 1+: ￥0.8319 10+: ￥0.8161 30+: ￥0.8055 库存：1 个个总额:￥0

MEE4294-G 品牌: MATSUKI(松木) 封装: SOP-8 描述: - 漏源电压(Vdss):100V 连续漏极电流(Id):11.3A 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):12mΩ@10V 功率:2.8W 类目: 场效应管(MOSFET) 编号: 11329383 详细: 数据手册 1+: ￥2.11 10+: ￥1.86 30+: ￥1.75 100+: ￥1.61 500+: ￥1.53 1000+: ￥1.49 库存：2601 个个总额:￥0

ME7839S-G 品牌: MATSUKI(松木) 封装: PDFN-8(3.1x3.2) 描述: 1个P沟道漏源电压(Vdss):30V 连续漏极电流(Id):28.9A 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):12mΩ@10V 功率:16W 类目: 场效应管(MOSFET) 编号: 11329379 详细: 数据手册 1+: ￥1.6673 10+: ￥1.3837 30+: ￥1.2621 100+: ￥1.1105 500+: ￥1.043 1000+: ￥1.0024 库存：0 个个总额:￥0

ME7114S-G 品牌: MATSUKI(松木) 封装: DFN(3x3) 描述: 1个N沟道漏源电压(Vdss):30V 连续漏极电流(Id):18.4A 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):7mΩ@10V 功率:3.8W 类目: 场效应管(MOSFET) 编号: 11329375 详细: 数据手册 1+: ￥0.6456 10+: ￥0.6312 30+: ￥0.6216 库存：57 个个总额:￥0

ME6980ED 品牌: MATSUKI(松木) 封装: TSSOP-8 描述: 2个N沟道漏源电压(Vdss):20V 连续漏极电流(Id):7.3A 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):14.5mΩ@4.5V,5A 功率:1.3W 类目: 场效应管(MOSFET) 编号: 11329373 详细: 数据手册 1+: ￥1.2128 10+: ￥0.986 30+: ￥0.8888 100+: ￥0.7676 500+: ￥0.7136 1000+: ￥0.6812 库存：94 个个总额:￥0

ME4548-G 品牌: MATSUKI(松木) 封装: SOP-8 描述: 1个N沟道+1个P沟道漏源电压(Vdss):30V 连续漏极电流(Id):7.1A 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):40mΩ@4.5V,5.6A 功率:1.28W 类目: 场效应管(MOSFET) 编号: 11329368 详细: 数据手册 1+: ￥1.3476 10+: ￥1.0956 30+: ￥0.9876 100+: ￥0.8528 500+: ￥0.7928 1000+: ￥0.7568 库存：103 个个总额:￥0

ME4174 品牌: MATSUKI(松木) 封装: SOP-8 描述: 1个N沟道漏源电压(Vdss):30V 连续漏极电流(Id):15.8A 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):11mΩ@4.5V,15A 功率:2.5W 类目: 场效应管(MOSFET) 编号: 11329363 详细: 数据手册 1+: ￥1.1748 10+: ￥1.0341 30+: ￥0.9738 100+: ￥0.8986 500+: ￥0.8651 1000+: ￥0.845 库存：2346 个个总额:￥0

ME3205T 品牌: MATSUKI(松木) 封装: TO-220 描述: 1个N沟道漏源电压(Vdss):60V 连续漏极电流(Id):105A 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):6.5mΩ@10V,66A 功率:150W 类目: 场效应管(MOSFET) 编号: 11329359 详细: 数据手册 1+: ￥3.37 10+: ￥2.79 30+: ￥2.5 100+: ￥2.22 500+: ￥2.04 1000+: ￥1.96 库存：224 个个总额:￥0

ME50N06A-G 品牌: MATSUKI(松木) 封装: TO-252-2 描述: - 漏源电压(Vdss):60V 连续漏极电流(Id):35.1A 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):22mΩ@10V,50A 功率:59.5W 类目: 场效应管(MOSFET) 编号: 11329357 详细: 数据手册 1+: ￥1.8994 10+: ￥1.5382 30+: ￥1.3834 100+: ￥1.1903 500+: ￥1.1043 1000+: ￥1.0527 库存：0 个个总额:￥0

ME2333-G 品牌: MATSUKI(松木) 封装: SOT-23 描述: - 漏源电压(Vdss):20V 连续漏极电流(Id):4.9A 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):35mΩ@4.5V,8A 功率:800mW 类目: 场效应管(MOSFET) 编号: 11329353 详细: 数据手册 1+: ￥0.3034 10+: ￥0.2979 30+: ￥0.2942 100+: ￥0.2906 库存：5 个个总额:￥0

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