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对比
LSGE06R046HWB
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TO-263-2
- 品牌名称LONTEN(龙腾半导体)
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商品型号
LSGE06R046HWB -
商品编号
LSGE06R046HWB -
商品封装
TO-263-2 -
分类
场效应管(MOSFET)
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商品参数
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属性 | 参数值 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 类型 | - | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 104A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 4.6mΩ@10V,20A | |
| 耗散功率(Pd) | 89W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 48nC@10V | |
| 输入电容(Ciss@Vds) | 3.511nF@30V | |
| 反向传输电容(Crss) | 67pF@30V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
参数完善中
梯度
售价
1+￥4.1
10+￥3.4
30+￥3.06
100+￥2.71
500+￥2.5
800+￥2.4
库存总量
(单位：291个)-
仓库库存数量
291
购买数量
个
起订量：1 个
