收藏网址
|
0731-111111
|
18574781111
|
专属客服

温馨提示

您上传的BOM清单格式不准确,当前支持上传xls、xlsx、csv、JPG、PNG、JPEG格式,请检查后重新上传

WCM2001-6/TR
WCM2001-6/TR商品缩略图

温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

  • 收藏
    收藏
  • 对比
    对比

WCM2001-6/TR

  • DFN-6L-EP(2x2)

  • 品牌名称WILLSEMI(韦尔)
  • 商品型号

    WCM2001-6/TR
  • 商品编号

    WCM2001-6/TR
  • 商品封装

    DFN-6L-EP(2x2)
  • 分类

    场效应管(MOSFET)

  • 商品参数

属性 参数值
商品目录 场效应管(MOSFET)
类型 1个N沟道+1个P沟道
漏源电压(Vdss) 20V
连续漏极电流(Id) -
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 180mΩ@4.5V,550mA;85mΩ@4.5V,3.1A
功率 -
阈值电压(Vgs(th)@Id) -
栅极电荷(Qg@Vgs) -
输入电容(Ciss@Vds) -
反向传输电容(Crss@Vds) -
工作温度 -55℃~+150℃@(Tj)

数据手册PDF

梯度
售价
1+¥1.4384
10+¥1.1486
30+¥1.0244
100+¥0.8694

库存总量

(单位:251个)
  • 仓库库存数量

    251

购买数量

起订量:1 个
总价金额: 1.4384