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对比
NCE65T2K4I
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TO-251
- 品牌名称NCE(无锡新洁能)
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商品型号
NCE65T2K4I -
商品编号
NCE65T2K4I -
商品封装
TO-251 -
分类
场效应管(MOSFET)
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商品参数
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属性 | 参数值 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 类型 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 2A | |
| 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 2.2Ω@10V,1A | |
| 功率 | 21W | |
| 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 3.5V@70uA | |
| 栅极电荷(Qg@Vgs) | 3.5nC@10V | |
| 输入电容(Ciss@Vds) | 120pF@50V | |
| 反向传输电容(Crss@Vds) | 0.2pF@50V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) |
梯度
售价
1+￥1.4415
10+￥1.1811
30+￥1.0695
100+￥0.9303
500+￥0.8683
1000+￥0.8311
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