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对比
HRT60N10D
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TO-252-2
- 品牌名称HRmicro(华瑞微)
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商品型号
HRT60N10D -
商品编号
HRT60N10D -
商品封装
TO-252-2 -
分类
场效应管(MOSFET)
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商品参数
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属性 | 参数值 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 类型 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 75A | |
| 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 10mΩ@10V,20A | |
| 功率(Pd) | 105W | |
| 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 4V@250uA | |
| 栅极电荷(Qg@Vgs) | 76nC@10V | |
| 输入电容(Ciss@Vds) | 4.938nF | |
| 反向传输电容(Crss@Vds) | 167pF@30V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
梯度
售价
1+￥1.6707
10+￥1.3557
30+￥1.2207
100+￥1.0523
500+￥0.9773
1000+￥0.9323
库存总量
(单位：48个)-
仓库库存数量
48
购买数量
个
起订量：1 个