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对比
ND2012L-TR1
- 品牌名称SILICONIX
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商品型号
ND2012L-TR1 -
商品编号
ND2012L-TR1 -
商品封装
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分类
场效应管(MOSFET)
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商品参数
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属性 | 参数值 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 200V | |
| 连续漏极电流(Id) | 100mA | |
| 耗散功率(Pd) | 320mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | - |
参数完善中
梯度
售价
1+￥9.61
200+￥3.84
500+￥3.71
1000+￥3.65
库存总量
(单位：0个)-
仓库库存数量
0
购买数量
个
起订量：1 个
