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对比
IV1Q12750T3
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TO-247-3
- 品牌名称inventchip(瞻芯电子)
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商品型号
IV1Q12750T3 -
商品编号
IV1Q12750T3 -
商品封装
TO-247-3 -
分类
碳化硅场效应管(MOSFET)
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商品参数
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属性 | 参数值 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 碳化硅场效应管(MOSFET) | |
| 封装类型 | 单管 | |
| 沟道类型 | 1个N沟道 | |
| 配置 | - | |
| V(BR)DSS-漏源击穿电压 | 1200V | |
| Id-漏极电流(25℃) | 6.8A | |
| Pd-功耗 | 78.4W | |
| Vgs(th)-栅源阈值电压 | 4.3V | |
| RDS(on)-导通电阻(20V) | 750mΩ | |
| RDS(on)-导通电阻(18V) | - | |
| RDS(on)-导通电阻(15V) | - | |
| RDS(on)-导通电阻(10V) | - | |
| Qg-栅极电荷 | 15.8nC | |
| Ciss-输入电容 | 260pF | |
| Crss-反向传输电容 | 2.6pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ |
梯度
售价
1+￥24.68
10+￥23.53
30+￥20.69
90+￥20
库存总量
(单位：134个)-
仓库库存数量
134
购买数量
个
起订量：1 个