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对比
CMU12P10S
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TO-251
- 品牌名称Cmos(广东场效应半导体)
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商品型号
CMU12P10S -
商品编号
CMU12P10S -
商品封装
TO-251 -
分类
场效应管(MOSFET)
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商品参数
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属性 | 参数值 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 类型 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 12A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 320mΩ@10V,5A | |
| 耗散功率(Pd) | 45W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 3.5nC@10V | |
| 输入电容(Ciss@Vds) | 170pF@50V | |
| 反向传输电容(Crss) | 10pF@50V | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ |
梯度
售价
1+￥1.6431
10+￥1.3105
32+￥1.0735
96+￥0.8957
496+￥0.8165
1280+￥0.7689
库存总量
(单位：135个)-
仓库库存数量
135
购买数量
个
起订量：1 个